| Tidligere kursus: C1204 |
| Udbydes af:
Institut for Fysik
(FYS) |
| Pointspærring: C1204 |
| Faglige forudsætninger: C1521/C1010/C1502/10002/C1510/10010/C1533/C1801 |
| Ønskelige forudsætninger: C4205/C1202/10100 |
| Vejledende semester:
4. semester. |
| Undervisningsform: Forelæsninger samt grupperegning i 2 eftermiddagstimer |
| Evalueringsform:
Skriftlig eksamen
(13-skala
) |
| Bemærkninger: Kurset giver den fysiske baggrund for de faststofkomponenter, hvis anvendelse behandles i de indledende elektronikfag, og danner desuden basis for kurser i halvlederkomponenters design og procesteknologi ved Mikroelektronik Centret. |
| Kontaktperson: |
Jørn Bindslev Hansen, FYS, bygn. 309, tlf. 4525 3242 |
|
| Kursusmål: Sigtet med kurset er at bibringe de studerende en forståelse af virkemåden og de fysiske mekanismer bag en række vigtige faststofkomponenter med hovedvægt på bipolære og felteffekt transistorer. |
| Kursusindhold: Introduktion til faststoffysik for halvledere: elektroner og huller i rene og doterede halvlederkrystaller, energibånd diagrammer, energibånd gab. Transportfænomener: drift, diffusion, injektion og rekombination. Højfelts-effekter. p-n overgange: termisk ligevægt, udtynding, kapacitans, statisk I-V karakteristik, transient opførsel og "break-down". Bipolære komponenter (transistorer og tyristorer): statisk karakteristik, frekvensgang og "switching". Unipolære komponenter, metal-halvleder kontakter (Schottky), felteffekt komponenter: JFETs, MESFETs, MOSFETs og MOS dioder, fotodetektorer og solceller. |
