| Type: | basiskursus, udbydes under åben uddannelse
Sprog: engelsk |
|
|
Tidligere kursus: C1204
|
|
Pointspærring: C1204
|
|
|
|
Faglige forudsætninger: C1521/C1010/C1502/10002/C1510/10010/C1533/C1801
|
|
Ønskelige forudsætninger: C4205/C1202/10100
|
|
Vejledende placering: 4. semester.
|
|
Undervisningsform: Forelæsninger samt grupperegning i 2 eftermiddagstimer
|
|
Evalueringsform Skriftlig eksamen
|
|
Karakter: 13-skala
|
|
|
|
Bemærkninger: Kurset giver den fysiske baggrund for de faststofkomponenter, hvis anvendelse behandles i de indledende elektronikfag, og danner desuden basis for kurser i halvlederkomponenters design og procesteknologi ved Mikroelektronik Centret. Kurset gives i samarbejde med Mikroelektronik Centret.
|
| Kontaktperson: | Jørn Bindslev Hansen, bygn. 309, tlf. 4525 3242, email jbh@fysik.dtu.dk |
|
|
Kursets netadresse: http://info.fysik.dtu.dk/~jbh
|
|
Institut: Institut for Fysik
|
|
Studieudvalg: MIFSU
|
|
Kursusmål: Sigtet med kurset er at bibringe de studerende en forståelse af virkemåden og de fysiske mekanismer bag en række vigtige faststofkomponenter med hovedvægt på bipolære og felteffekt transistorer.
|
|
Kursusindhold: Introduktion til faststoffysik for halvledere: elektroner og huller i rene og doterede halvlederkrystaller, energibånd diagrammer, energibånd gab. Transportfænomener: drift, diffusion, injektion og rekombination. Højfelts-effekter. p-n overgange: termisk ligevægt, udtynding, kapacitans, statisk I-V karakteristik, transient opførsel og "break-down". Bipolære komponenter (transistorer og tyristorer): statisk karakteristik, frekvensgang og "switching". Unipolære komponenter, metal-halvleder kontakter (Schottky), felteffekt komponenter: JFETs, MESFETs, MOSFETs og MOS dioder.
|
